发明名称 CMOS清除电路
摘要 一种CMOS清除电路,包括一南桥晶片及一跳线开关,所述南桥晶片具有一可控制南桥晶片清除CMOS资料之重定信号端及一可控制BIOS执行CMOS设置程式清除CMOS资料之信号输入端,所述跳线开关可选择将所述重定信号端或信号输入端连接至一地端或一电源端,从而将所述重定信号端或信号输入端设为低电平或高电平。本CMOS清除电路根据南桥晶片上之重定信号端或信号输入端之信号来控制清除 CMOS资料之方式,并可利用跳线开关来选择清除CMOS之方式。
申请公布号 TWM319520 申请公布日期 2007.09.21
申请号 TW096204341 申请日期 2007.03.19
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 发明人 李昆鹏
分类号 H01L27/146(2006.01) 主分类号 H01L27/146(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种CMOS清除电路,包括一南桥晶片及一跳线开关 ,所述南桥晶片具有一可控制南桥晶片清除CMOS资 料之重定信号端及一可控制BIOS执行CMOS设置程式 清除CMOS资料之信号输入端,所述跳线开关可选择 将所述重定信号端或信号输入端连接至一地端或 一电源端,从而将所述重定信号端或信号输入端设 为低电平或高电平。 2.如申请专利范围第1项所述之CMOS清除电路,其中 所述跳线开关包括一连接头,所述连接头具有三个 并列设置之接头,其中一端之接头连接至地端,另 一端之接头透过一可选择性安装之第一电阻连接 至电源端。 3.如申请专利范围第2项所述之CMOS清除电路,其中 所述南桥晶片之重定信号端透过一可选择性安装 之第二电阻连接至所述连接头之中间接头。 4.如申请专利范围第3项所述之CMOS清除电路,其中 所述南桥晶片之重定信号端同时透过一可选择性 安装之第三电阻连接至电源端。 5.如申请专利范围第4项所述之CMOS清除电路,其中 所述南桥晶片之重定信号端同时透过一电容连接 至地端。 6.如申请专利范围第2项所述之CMOS清除电路,其中 所述南桥晶片之信号输入端透过一可选择性安装 之第四电阻连接至所述连接头之中间接头。 7.如申请专利范围第2项所述之CMOS清除电路,其中 所述跳线开关还包括一具有两个针脚之跳帽,所述 跳帽可选择插设于所述连接头上任意两相邻之接 头内,从而选择将所述南桥晶片之重定信号端或信 号输入端连接至地端或电源端。 图式简单说明: 图1系本创作CMOS清除电路较佳实施方式在主机板 上之线路图。 图2系本创作CMOS清除电路使用硬体清除CMOS之等效 电路图。 图3系本创作CMOS清除电路使用软体清除CMOS之等效 电路图。
地址 台北县土城市自由街2号