Verfahren zum Ausbilden einer Halbleiterstruktur, das eine Implantation von Ionen in eine zu ätzende Materialschicht umfasst,申请号DE200710025326-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zum Ausbilden einer Halbleiterstruktur, das eine Implantation von Ionen in eine zu ätzende Materialschicht umfasst
摘要
申请公布号	DE102007025326(B4)	申请公布日期	2011.01.20
申请号	DE200710025326	申请日期	2007.05.31
申请人	ADVANCED MICRO DEVICES INC.	发明人	PRESS, PATRICK;WIRBELEIT, FRANK;BLOOMQUIST, JOE;FROHBERG, KAI;FEUDEL, THOMAS
分类号	H01L21/336;H01L21/265;H01L21/3105;H01L21/8238	主分类号	H01L21/336
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