| 摘要 |
1. Очищенный полиморф IV соединения, имеющего структуру, представленную формулой Ia ! , ! характеризующийся пиками дифракции рентгеновских лучей на порошке (XRPD) при 3,8, 7,5, 16,1, 16,5 и 17,1° 2θ (±0,1), полученными с использованием рентгеновского медного К-альфа1-излучения (длина волны равна 1,5406 ангстрем). ! 2. Очищенный полиморф II соединения, имеющего структуру, представленную формулой Ia ! , ! характеризующийся пиками XRPD при 3,5, 6,9, 9,2, 10,4 и 18,0° 2θ (±0,1), полученными с использованием рентгеновского медного К-альфа1-излучения (длина волны равна 1,5406 ангстрем). ! 3. Способ получения очищенного Полиморфа IV соединения, имеющего структуру, представленную формулой Ia, как определено в п.1, включающий подвергание полиморфа такого соединения, отличного от Полиморфа IV, множественным циклам нагревания и охлаждения в присутствии среды, выбранной из диизопропилового эфира и С5-С7алкана или -алкена. ! 4. Способ по п.3, где среда представляет собой гептан. ! 5. Способ получения очищенного Полиморфа IV соединения, имеющего структуру, представленную формулой Ia, как определено в п.1, включающий получение этилацетатного раствора такого соединения и добавление к этому раствору С5-С7алкана или -алкена для того, чтобы вызвать кристаллизацию такого соединения в виде очищенного Полиморфа IV. ! 6. Способ по п.5, где С5-С7алкан или -алкен представляет собой гептан. ! 7. Способ по п.5, где добавление С5-С7алкана или -алкена для того, чтобы вызвать кристаллизацию, осуществляют при температуре от примерно 20 до примерно 36°С (предпочтительно от примерно 25 до примерно 36°С). ! 8. Способ по п.5, где содержание воды в растворе составляет менее 3,6% (предпочтительно менее 1,9%) об./об. ! 9. Спосо� |
