Verfahren zur Herstellung von relaxierten Schichten,申请号DE200660018696T-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	Verfahren zur Herstellung von relaxierten Schichten
摘要
申请公布号	DE602006018696(D1)	申请公布日期	2011.01.20
申请号	DE200660018696T	申请日期	2006.10.27
申请人	S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES	发明人	DAVAL, NICOLAS;CHAHRA, ZOHRA;LARDERET, ROMAIN
分类号	H01L21/20;C30B33/00	主分类号	H01L21/20
代理机构		代理人
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