发明名称 非依电性记忆体
摘要 本发明之目的在于提供一种可准确判定记忆胞的所余寿命之非依电性记忆体。该非依电性记忆体包含有:多数虚拟细胞群,系配置在附有各位址之各字元上,且用以保存1个字元份资料之多数记忆胞群及重写寿命阶级不同者;写入电路,系在将资料写入至预定位址之记忆胞群时,同时进行写入至该位址之虚拟细胞群者;及寿命辨识电路,系藉由判定各虚拟细胞群是否可正常进行存取,来辨识过去的写入次数标准者,又,该非依电性记忆体设有可依照外部提供的命令来控制记忆胞群及虚拟细胞群的操作之控制部。
申请公布号 TW200814063 申请公布日期 2008.03.16
申请号 TW095132859 申请日期 2006.09.06
申请人 富士通股份有限公司 发明人 伊势昌弘
分类号 G11C16/06(2006.01);G11C7/24(2006.01) 主分类号 G11C16/06(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本