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发明名称 EPITAXIALWACHSTUMSVERFAHREN UND VERWENDUNG EINES SUBSTRATS FÜR EPITAXIALWACHSTUM
摘要
申请公布号 DE60335287(D1) 申请公布日期 2011.01.20
申请号 DE2003635287 申请日期 2003.05.14
申请人 NIPPON MINING & METALS CO. LTD. 发明人 NAKAMURA, MASASHI;KURITA, HIDEKI
分类号 H01L21/31;C30B25/02;C30B25/18;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/302 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人
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