半导体存储器件

摘要

一种半导体存储器件，包括：第一有源区，其形成有横向延伸的第一部分和从第一部分的中心区域垂直向上延伸的第二部分；与第一有源区间隔开形成的第二有源区，第二有源区具有横向延伸的第三部分、在第三部分的远端部分处垂直向下延伸的第四和第五部分、以及在第三部分的中心部分垂直向下延伸的第六部分；形成为垂直延伸并且覆盖第一有源区的第一部分和第二有源区的第三部分的第一栅极；形成为垂直延伸并且覆盖第一有源区的第一部分和第二有源区的第三部分的第二栅极；形成为在垂直于第一和第二栅极的方向上延伸并且覆盖第二有源区的第四与第五部分的第三栅极；和与栅极间隔开预定距离的多个接触。

主权项

一种半导体存储器件，包括：第一有源区，该第一有源区形成为具有横向延伸的第一部分和从所述第一部分的中心区域垂直向上延伸的第二部分；与所述第一有源区间隔开形成的第二有源区，所述第二有源区具有横向延伸的第三部分、在所述第三部分的远端部分处垂直向下延伸的第四和第五部分、以及在所述第三部分的中心部分处垂直向下延伸的第六部分；第一栅极，该第一栅极形成为垂直延伸并且覆盖所述第一有源区的第一部分和所述第二有源区的第三部分；第二栅极，该第二栅极形成为与所述第一栅极间隔开且形成为垂直延伸并且覆盖所述第一有源区的第一部分和所述第二有源区的第三部分；第三栅极，该第三栅极形成为在垂直于所述第一和第二栅极的方向上延伸并且覆盖所述第二有源区的第四和第五部分；和在所述第一有源区的第一部分的远端、在所述第一有源区的第二部分的远端、在所述横向延伸的第三部分的远端、在所述第二有源区的第六部分的远端、以及在所述第一有源区和所述第二有源区之间的空间中的所述第一栅极和所述第二栅极的部分中形成的多个接触。