确定工艺环境变化的梯度场的结构及方法

摘要

本发明公开了一种用于评测工艺环境变化的影响的结构及方法。公开的结构及相关方法包括以非共线方式布置多个电结构，以确定该多个电结构附近的工艺环境变化的大小和方向。该多个结构可以包括耦接到第二极性FET的第一极性FET，第一极性FET和第二极性FET的每个耦接到第一焊盘和第二焊盘，使得该结构允许仅使用第一和第二焊盘来进行第一极性FET和第二极性FET的独立测量。可选地，电结构可以包括电阻器、二极管或环形振荡器。每个电结构的适当测量使可以确定包括工艺环境变化的影响的大小和方向的梯度场。

主权项

一种用于确定工艺环境变化的梯度场的结构，包括：以非共线方式布置的多个相同的电结构，其中通过测量每个所述电结构的电性质能够确定该多个电结构附近的工艺环境变化的大小和方向，其中所述多个电结构中的每个包括：第一极性场效应晶体管和第二极性场效应晶体管，并且其中第一极性场效应晶体管的源极耦接到第一焊盘，第一极性场效应晶体管的栅极和漏极耦接到第二极性场效应晶体管的源极，并且第二极性场效应晶体管的栅极和漏极耦接到第二焊盘。