半导体装置、设计方法及结构

摘要

一种半导体装置会包括至少一个藉由掺杂一半导体基体来形成的第一扩散区域和至少一个藉由掺杂该半导体基体来形成之藉一个隔离区域来与该第一扩散区域隔开的第二扩散区域。至少一条含半导体材料的第一导电线形成在该第一扩散区域和该第二扩散区域之上且与它们接触。该第一导电线之与该第一扩散区域接触的一个部份是掺杂成与该第一扩散区域相反的导电性类型。至少一条含半导体材料的第二导电线是形成与该第一导电线平行且是在该第一扩散区域和该第二扩散区域之上并与它们接触。该第二导电线的一个部份会与该第一扩散区域接触且是掺杂成与该第一扩散区域相同的导电性类型。该第二导电线之与该第二扩散区域接触的一个部份会是掺杂成与该第二扩散区域相同的导电性类型。