有源元件阵列基板及其制造方法

摘要

本发明揭示一种有源元件阵列基板的制造方法，其包括下列步骤：提供基板与多重穿透式光掩模。于基板上依序形成第一金属材料层、栅绝缘材料层、沟道材料层、第二金属材料层与第一光阻层。借由多重穿透式光掩模对光阻层进行图案化以形成具有二种不同厚度的第一图案化光阻层。以第一图案化光阻层为罩幕依序进行第一移除工艺与第二移除工艺以形成栅极、栅绝缘层、沟道层与源极以及漏极。移除第一图案化光阻层。于基板上形成保护层与第二图案化光阻层。进行第三移除工艺以形成多个接触窗开口。于基板上形成像素电极材料层。剥离第二图案化光阻层以形成像素电极。

主权项

一种有源元件阵列基板的制造方法，包括：提供一基板与一多重穿透式光掩模；于该基板上形成一第一金属材料层；于该第一金属材料层上形成一栅绝缘材料层；于该栅绝缘材料层上形成一沟道材料层；于该沟道材料层上形成一第二金属材料层；于该第二金属材料层上形成一第一光阻层，并借由该多重穿透式光掩模对该第一光阻层进行图案化，以形成一第一图案化光阻层，其中该第一图案化光阻层具有一凹陷图案，且部分的该第二金属材料层暴露于该第一图案化光阻层外；以该第一图案化光阻层为罩幕进行一第一移除工艺，以移除未被该第一图案化光阻层覆盖的该第二金属材料层、该沟道材料层、该栅绝缘材料层与该第一金属材料层，进而形成一栅极、一栅绝缘层与一沟道层；进行一第二移除工艺，以移除该第一图案化光阻层的凹陷图案以及对应该凹陷图案下方的该第二金属材料层，进而形成一源极以及一漏极，并暴露出部分的该沟道层；移除该第一图案化光阻层；于该基板上形成一保护层，以覆盖部分的该基板、该源极以及该漏极与部分的该沟道层；于该保护层上形成一第二图案化光阻层，其中对应于该源极以及该漏极上方的该保护层暴露于该第二图案化光阻层外；以该第二图案化光阻层为罩幕进行一第三移除工艺，以移除部分的该保护层，并形成多个接触窗开口，以暴露出该源极以及该漏极；于该保护层上形成一像素电极材料层，以覆盖该第二图案化光阻层与暴露出的该源极以及该漏极；以及剥离该第二图案化光阻层，以移除位于该第二图案化光阻层上的该像素电极材料层，以形成一像素电极。