| 发明名称 | 用于晶片表面处理的织构化和清洗剂及其应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及单晶晶片表面处理的液体试剂，所述液体试剂含有碱性刻蚀剂和至少一种低挥发性有机化合物。该类型的体系可以在单一的刻蚀步骤中用于晶片表面的清洗、损伤蚀刻和织构化，以及只用于具有不同表面质量的硅晶片的织构化，无论所述晶片是高表面损伤的线锯晶片还是具有最小损伤密度的化学抛光表面。 | ||
| 申请公布号 | CN101952406A | 申请公布日期 | 2011.01.19 |
| 申请号 | CN200880119284.9 | 申请日期 | 2008.12.08 |
| 申请人 | 弗劳恩霍弗应用技术研究院 | 发明人 | 库诺·梅耶;马克·舒曼;丹尼尔·凯瑞;特里萨·奥雷拉纳·佩雷斯;约亨·任特舒;马丁·齐默;伊莱亚斯·基尔希加斯纳;伊娃·齐默;丹尼尔·伯罗;阿帕德·米哈伊·罗什塔什 |
| 分类号 | C11D7/06(2006.01)I;C11D7/26(2006.01)I;C11D7/32(2006.01)I;C11D11/00(2006.01)I | 主分类号 | C11D7/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 杨生平;钟锦舜 |
| 主权项 | 一种用于单晶晶片表面处理的液体织构化和清洗剂，含有至少一种用于单晶硅的碱性蚀刻剂和至少一种沸点高于110℃的低挥发性有机化合物。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||