化学机械抛光阻化剂薄膜，其制造方法及化学机械抛光方法

主权项

1.一种化学机械抛光阻化剂薄膜之制造方法，该薄膜包含至少一具有下列通式(I)、(II)或(III)所表示之重复结构单元之有机聚合物(A)，该薄膜的介电常数系小于或是等于4：其中R7、R8及R11各表示甲基、乙基、异丙基、正丙基、丁基、具有1至20个碳原子的烷氧基、芳基或卤素原子；b、c及f各是0至4的整数；g是5至100%莫耳；i是0至95%莫耳(其中g+i=100%莫耳)；其中R7至R10各表示甲基、乙基、异丙基、正丙基、丁基、具有1至20个碳原子的烷氧基、芳基或卤素原子；Y是选自由-O-、-CO-、-COO-、-CONH-、-S-、-SO2-和伸苯基组成的族群之至少一员；b至e各是0至4的整数；其包含涂覆一包含至少一种有机聚合物(A)和一有机溶剂(B)且具有完全固体浓度为1至30%重量比之涂布流体于一基板，以及加热该涂布基板。2.一种化学机械抛光方法，其包含形成一包含至少一种有机聚合物之化学机械抛光阻化剂薄膜于一绝缘薄膜上，使得该阻化剂薄膜介于该绝缘薄膜与一藉由化学机械抛光来移除的金属薄膜之间，并接着以一研磨液来移除该金属薄膜；该有机聚合物具有下列通式(I)、(II)或(III)所表示之重复结构单元；其中R7、R8及R11各表示甲基、乙基、异丙基、正丙基、丁基、具有1至20个碳原子的烷氧基、芳基或卤素原子；b、c及f各是0至4的整数；g是5至100%莫耳；i是0至95%莫耳(其中g+i=100%莫耳)；其中R7至R10各表示甲基、乙基、异丙基、正丙基、丁基、具有1至20个碳原子的烷氧基、芳基或卤素原子；Y是选自由-O-、-CO-、-COO-、-CONH-、-S-、-SO2-和伸苯基组成的族群之至少一员；b至e各是0至4的整数；3.如申请专利范围第2项之化学机械抛光方法，其中，该金属薄膜系由包含阻绝金属的第一金属薄膜与形成于其上之包含铜、以铜为主要成分之合金、或铜化合物之第二金属薄膜所构成。4.如申请专利范围第2项之化学机械抛光方法，其中，该化学机械抛光阻化剂薄膜包含从聚伸芳基类(polyarylene)与聚(伸芳基醚)类组成的族群中所选出之至少一员。5.一种抛光方法，其包含：形成一双层薄膜于一半导体区域上，该双层薄膜具有一开口且由绝缘薄膜与安装于该绝缘薄膜上之化学机械抛光阻化剂薄膜所构成；沉积一包含阻绝金属的第一金属薄膜，与包含铜、以铜为主要成分的合金、或铜化合物的第二金属薄膜于该化学机械抛光阻化剂薄膜上及开口里，而以该沉积的金属薄膜来填满该开口；以及藉由一化学机械研磨液来移除该化学机械抛光阻化剂薄膜上的第二金属薄膜；该有机聚合物具有下列通式(I)、(II)或(III)所表示之重复结构单元；其中R7、R8及R11各表示甲基、乙基、异丙基、正丙基、丁基、具有1至20个碳原子的烷氧基、芳基或卤素原子；b、c及f各是0至4的整数；g是5至100%莫耳；i是0至95%莫耳(其中g+i=100%莫耳)；其中R7至R10各表示甲基、乙基、异丙基、正丙基、丁基、具有1至20个碳原子的烷氧基、芳基或卤素原子；Y是选自由-O-、-CO-、-COO-、-CONH-、-S-、-SO2-和伸苯基组成的族群之至少一员；b至e各是0至4的整数；图式简单说明：图1系说明一根据本发明之实施例，其中有一层金属薄膜形成于(a)中，且(b)中所显示的是移除不需要的部分金属之后的结构。