极度圆孔屏蔽的栅槽MOSFET器件及其生产工艺

摘要

本发明公开了一种改进的槽金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，该器件包括一个被源区围绕的槽栅，源区被围绕在位于基片底面上的漏区之上的体区中。MOSFET单元进一步包括一个位于槽栅下面且与槽栅绝缘的屏蔽栅槽(SGT)结构，SGT结构基本是由一个旁向膨胀超出槽栅以及被充填有槽栅材料的介质层覆盖的圆孔组成。圆孔是通过各向同性腐蚀在槽栅底部生成的并通过氧化物绝缘层与槽栅分隔开来。圆孔的旁向膨胀超出槽壁，该旁向膨胀可用作垂直调整的界标，控制槽栅的深度。取决于位于作为槽栅之下一个圆孔的SGT结构之上的槽栅的可控深度，MOSFET器件的栅漏电容Cgd可以减小。

主权项

一种生产半导体器件的方法，其特征在于，包括下述步骤：沿基片垂直方向建立一个调整界标，从而提供一个可测量的控制参数，用来控制生产过程，获得具有预先设定的垂直调整指标的结构特征。