一种光电二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种光电二极管，包括导电基板或者衬底，阴极层、阳极层、N型ZnO形成层和有机光活化层，其特征在于，所述N型ZnO形成层包括ZnO种子层和ZnO竖直排列纳米线阵列，所述阴极层设置在导电基板或衬底表面，所述ZnO种子层设置在阴极层表面，ZnO竖直排列纳米线阵列层位于ZnO种子层上，有机光活化层位于ZnO纳米线阵列层和阳极层之间，有机光活化层为P型有机光活化层，包括有机小分子p型半导体材料或高分子聚合物p型半导体材料。本发明采用ZnO纳米线竖直排列的特殊阵列结构，有机光活化层填入阵列中，有效地增加了ZnO纳米线与有机光活化层相互接触面积和大大提高了载流子输运能力，从而大幅度地提高器件性能。

主权项

一种光电二极管，包括导电基板或者衬底，阴极层、阳极层、N型ZnO形成层和有机光活化层，其特征在于，所述N型ZnO形成层包括ZnO种子层和ZnO竖直排列纳米线阵列，所述阴极层设置在导电基板或衬底表面，所述ZnO种子层设置在阴极层表面，ZnO竖直排列纳米线阵列层位于ZnO种子层上，有机光活化层位于ZnO纳米线阵列层和阳极层之间，有机光活化层为P型有机光活化层，包括有机小分子p型半导体材料或高分子聚合物p型半导体材料。