| 发明名称 | 有机发光显示器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种有机发光显示器及其制造方法，在该有机发光显示器中，在非显示区中形成对准标记。该有机发光显示器包括：基底，具有显示区和非显示区；缓冲层，形成在整个基底上；有源层；栅极绝缘层；栅电极，对应于有源层形成在栅极绝缘层上；层间介电层，形成在栅极绝缘层上；源/漏电极，形成在层间介电层上，并电结合到有源层；绝缘层，形成在源/漏电极上；有机发光二极管，形成在绝缘层上，并电结合到源/漏电极。此外，该有机发光显示器包括形成在基底和缓冲层中的一个上的对准标记。 | ||
| 申请公布号 | CN101211963B | 申请公布日期 | 2011.01.19 |
| 申请号 | CN200710300854.1 | 申请日期 | 2007.12.29 |
| 申请人 | 三星移动显示器株式会社 | 发明人 | 梁泰勋;徐晋旭;朴炳建;李基龙;丁世桓 |
| 分类号 | H01L27/32(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;常桂珍 |
| 主权项 | 一种有机发光显示器，包括：基底，具有显示区和非显示区；缓冲层，形成在显示区和非显示区上，其中，在缓冲层中存在催化金属；对准标记，在基底的非显示区中形成在缓冲层和基底中的一个上；有源层，对应于基底的显示区通过超级颗粒硅结晶方法形成在缓冲层上；栅极绝缘层，形成在对准标记和有源层上；栅电极，对应于有源层形成在栅极绝缘层上；层间介电层，形成在栅极绝缘层上；源/漏电极，形成在层间介电层上，并电结合到有源层；绝缘层，形成在源/漏电极上；有机发光二极管，形成在绝缘层上，并电结合到源/漏电极，其中，在距离对准标记预定的距离处形成有源层，催化金属存在于对准标记和有源层中，在对准标记和有源层中存在的催化金属的体积密度为1.0×1016原子/cm3至1.0×1020原子/cm3。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||