平板式氧传感器芯片结构及其制造方法

摘要

本发明的目的是提供一种在结构上减少了一层气室层结构的平板式氧传感器芯片结构及其制造方法，从而大大简化了工艺；消除了气室层中空结构导致的整体强度降低，延长了寿命；消除了气室漏气导致的失效隐患。所述的平板式氧传感器芯片，分为保护层、敏感元件层，参照层和加热层；参照层为一薄层，由复合陶瓷材料组成，用于代替传统平板式氧传感器的气室，加热层则结合传统优选的平板式氧传感器加热结构。参照层采用固态参比氧分压材料，并将其印刷在加热层坯上；将喷涂或浸渍保护层的敏感元件层坯片、参照层、加热层坯依次定位三层叠层热压成氧传感器坯；将氧传感器坯脱除有机物并烧结而得氧传感器芯片。

主权项

平板式氧传感器芯片结构的制造方法，其制作工艺步骤包括：A、制备敏感元件层坯片和加热层坯片流延浆料：采用在有机溶剂中用球磨的方式制成流延浆料；B、采用流延法制造敏感元件层坯片和加热层坯片：将流延浆料在流延机上经刮刀在衬带上刮成厚度均匀的膜片，在常温下干燥后脱膜；C、敏感元件层坯片和加热层坯片的制成：采用模具机械切割把上述膜片切割成各层坯片；D、在敏感元件层坯片上印涂内外电极且在外电极的工作区喷涂或浸渍保护层，内外电极都通过小孔与外层的引脚相连接；E、采用加热层坯片和加热电路制造加热层坯；F、制备参照层的固态参比氧分压材料，并将其印刷在加热层坯上；G、将喷涂或浸渍保护层的敏感元件层坯片、参照层、加热层坯依次定位三层叠层热压成氧传感器坯；H、将氧传感器坯脱除有机物并烧结而得氧传感器芯片。