| 发明名称 | 半导体基板、半导体基板的制造方法及电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体基板，其提高化合物半导体装置的转换速度等性能。半导体基板包括：硅基板；形成于硅基板上且具有抵达硅基板的开口部的绝缘膜；形成于开口部的Ge结晶；以Ge结晶为核进行成长而成、且形成为比绝缘膜的表面更凸出的化合物半导体结晶；以及以化合物半导体结晶为晶种面，在绝缘膜上进行横向成长而成的横向成长化合物半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN101952937A | 申请公布日期 | 2011.01.19 |
| 申请号 | CN200980105610.5 | 申请日期 | 2009.02.27 |
| 申请人 | 住友化学株式会社 | 发明人 | 秦雅彦;高田朋幸 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/338(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 一种半导体基板，具备：硅基板；绝缘膜，是形成于所述硅基板上的绝缘膜，并具有抵达所述硅基板的开口部；Ge结晶，形成于所述开口部；晶种化合物半导体结晶，是以所述Ge结晶为核而成长的化合物半导体结晶，且形成为比所述绝缘膜的表面更凸出；以及横向成长化合物半导体层，以所述晶种化合物半导体结晶的特定面为晶种面，在所述绝缘膜上进行横向成长而成。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||