像素结构的制造方法及有机发光元件的制造方法

摘要

本发明公开了一种像素结构的制造方法及有机发光元件的制造方法。此像素结构的制造方法包括在基板上形成栅极。形成介电层以覆盖栅极与基板。在栅极上方的介电层上形成图案化金属氧化物半导体层与图案化金属蚀刻阻挡层。形成第一导电层以覆盖图案化金属蚀刻阻挡层以及介电层。利用图案化金属蚀刻阻挡层作为蚀刻终止层，以图案化第一导电层，而形成源极以及漏极。形成第二导电层以覆盖源极、漏极以及介电层。利用图案化金属蚀刻阻挡层作为蚀刻终止层，以图案化第二导电层，而形成第一电极层。之后，移除位于源极与漏极之间被暴露出来的图案化金属蚀刻阻挡层。本发明可避免金属氧化物半导体层遭到过渡蚀刻，且可节省制造成本。

主权项

一种像素结构的制造方法，适用于一基板，包括：在该基板上形成一栅极；形成一介电层，覆盖该栅极与该基板；在该栅极上方的该介电层上形成一图案化金属氧化物半导体层与一图案化金属蚀刻阻挡层；形成一第一导电层，其覆盖该图案化金属蚀刻阻挡层以及该介电层；利用该图案化金属蚀刻阻挡层作为蚀刻终止层，以图案化该第一导电层，而形成一源极以及一漏极；形成一第二导电层，其覆盖该源极、该漏极以及该介电层；利用该图案化金属蚀刻阻挡层作为蚀刻终止层，以图案化该第二导电层，而形成一第一电极层；以及移除位于该源极与该漏极之间且被暴露出来的该图案化金属蚀刻阻挡层。