发明名称 集成电路和半导体器件
摘要 其中集成了分压器电路的集成电路(100)包括第一电阻器(121)、第二电阻器(122)、控制部分(130)、开关(140)以及开关部分(150)。第一电阻器(121)和第二电阻器(122)形成电阻分压器元件,用于将提供给控制部分(130)的通过对交流电压整流而获得的电压或直流电压分压。开关(140)设置成与电阻分压器元件串联,并使流过电阻分压器元件的电流通过或截止。开关部分(150)切换开关(140)以在驱动控制部分(130)期间使电流通过,并在控制部分(130)待用期间使电流截止。
申请公布号 CN101952955A 申请公布日期 2011.01.19
申请号 CN200880121334.7 申请日期 2008.12.02
申请人 富士电机系统株式会社 发明人 狩野太一;北村明夫;菅原敬人
分类号 H01L21/822(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I 主分类号 H01L21/822(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 张鑫
主权项 一种包括分压器电路的集成电路,所述集成电路具有:电阻分压器元件,所述电阻分压器元件用于在接地与高压线路之间分压,所述高压线路提供通过对交流电压整流而获得的电压或直流电压;开关,所述开关与所述电阻分压器元件串联,并切断经由所述电阻分压器元件在所述高压线路与接地之间形成的电流路径;以及开关装置,所述开关装置用于根据半导体器件的状态断开和接通所述开关,所述半导体器件是通过所述电阻分压器元件的分压而获得的所述电压的供给目的地,所述分压器电路与所述半导体器件在同一半导体衬底上形成。
地址 日本东京