防止/减少基片背面聚合物沉积的方法和装置

摘要

本发明涉及一种刻蚀过程中防止/减少基片背面聚合物沉积的方法，包括将基片固定设置于真空处理室中的基片支座上、注入反应气体进行刻蚀处理、将反应气体的一部分重定向或另外通入反应气体作为辅助气体并沿基片的背面向外吹送，以防止/减少在基片背面产生聚合物沉积。采用该种方法能有效地防止/减少聚合物在基片背面沉积。由于该吹送的辅助气体本身也是反应气体或者含有反应气体，从而使得基片边缘部分的反应气体浓度不会受到显著影响，确保了基片边缘区域的刻蚀反应效果，整个过程简单方便，工作性能稳定可靠，适用范围较为广泛。

主权项

一种刻蚀过程中防止/减少基片背面聚合物沉积的方法，包括以下步骤：(1)将基片放置于真空处理室中的基片支座上；(2)向真空处理室中注入反应气体，并使反应气体激励成等离子状态，以对该基片进行刻蚀处理；(3)在对基片刻蚀处理过程中，从该基片边缘或背面向等离子体处理区吹送一与反应气体成分相同的辅助气体，防止/减少在基片背面产生聚合物沉积。