| 发明名称 | GaN基板 | ||
| 摘要 | 在本发明的GaN基板的研磨方法中，首先，一边将含研磨材(23)与润滑剂(25)的研磨液(27)供应至平台(101)，一边利用平台(101)与研磨液(27)研磨GaN基板(第1研磨工序)。其次，一边将润滑剂(31)供应至埋入研磨材(29)的平台(101)上，一边利用埋入研磨材(29)的平台(101)研磨GaN基板(第2研磨工序)。 | ||
| 申请公布号 | CN101350302B | 申请公布日期 | 2011.01.19 |
| 申请号 | CN200810145427.5 | 申请日期 | 2005.12.28 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 松本直树 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;B24B37/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 一种GaN基板，其通过如下研磨方法制作，所述研磨方法包括：第1研磨工序，一边将包含第1研磨材与第1润滑剂的研磨液供应至第1平台上，一边利用所述第1平台及所述研磨液研磨GaN基板；第2研磨工序，在所述第1研磨工序后，一边将第2润滑剂供应至埋入有第2研磨材的第2平台上，一边利用埋入有所述第2研磨材的所述第2平台研磨所述GaN基板；表面加工工序，在所述第2研磨工序前，对所述第2平台进行切削加工以使得平坦度为10μm以下；加料工序，在所述表面加工工序后、所述第2研磨工序前，将用于形成所述第2研磨材的第3研磨材埋入所述第2平台，所述第1平台的构成材料及所述第2平台的构成材料是含有50质量％以上的锡的合金。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||