| 发明名称 | P型硅衬底背面金属化的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供的P型硅衬底背面金属化的制作方法包括如下步骤：(1)在芯片减薄后，在背面蒸发一层Al薄层；(2)在Al薄层上依次蒸发金属Ni和金属Ag；(3)进行一次350℃～450℃的温度处理，使铝薄层与硅形成铝硅合金的同时，使三价铝掺入硅中，形成表面掺铝硅层，提高衬底硅表面P型杂质浓度，降低P型衬底硅与背面金属的接触电阻。本发明优点在于有效地降低芯片的背面接触电阻，降低器件的耗散功率。 | ||
| 申请公布号 | CN101950737A | 申请公布日期 | 2011.01.19 |
| 申请号 | CN201010279777.8 | 申请日期 | 2010.09.03 |
| 申请人 | 杭州士兰集成电路有限公司 | 发明人 | 王英杰;韩非;孔建峰;王平;范伟宏 |
| 分类号 | H01L23/482(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/482(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | P型硅衬底背面金属化的制作方法，其特征在于包括如下步骤：(1)在芯片减薄后，在背面蒸发一层Al薄层；(2)在Al层上依次蒸发金属Ni和金属Ag；(3)进行一次350℃~450℃的温度处理，使铝薄层与硅形成铝硅合金的同时，使三价铝掺入硅中，形成表面掺铝硅层。 | ||
| 地址 | 310018 浙江省杭州市(下沙)经济技术开发区东区10号路308号 | ||