| 发明名称 | 一种太阳能光伏薄膜直接形成在基材上的太阳能电池 | ||
| 摘要 | 公开的是一种太阳能电池，其包含一种形成在基材上的太阳能电池半导体薄膜，一种透明导电膜形成在半导体薄膜上，和覆盖了透明导电膜的上表面的含氮水分扩散防止膜。水分扩散防止膜的最好至少由氮化硅膜或碳氮化硅(SiCN)膜组成。 | ||
| 申请公布号 | CN101952974A | 申请公布日期 | 2011.01.19 |
| 申请号 | CN200980105047.1 | 申请日期 | 2009.02.10 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学 | 发明人 | 若山惠英;茂山和基;大见忠弘;寺本章伸 |
| 分类号 | H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京高默克知识产权代理有限公司 11263 | 代理人 | 王业晖 |
| 主权项 | 一种太阳能电池包括：一种形成在基材上的半导体薄膜；一种形成在该半导体薄膜上的透明导电膜；及一种至少覆盖了该透明导电膜上部表面的含氮的水分扩散防止膜。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||