低成本大画面广视野角高速回应液晶显示装置

摘要

本发明是以3次的光微影步骤制造超大型广视野角超高速响应液晶显示装置。本发明是于使用半色调曝光技术形成栅极(Gate)电极、共享电极、像素电极及接触焊垫后，使用半色调曝光技术形成a-硅(Si)孤岛与接触孔。并使用普通曝光技术形成源极电极、漏极电极与配向控制电极。钝化层是使用遮蔽沉积(maskingdeposition)法，而以P-CVD法成膜，或是使用喷墨涂布法或喷涂法，通过在局部区域涂布保护层，可以3次光微影步骤制造超大型广视野角超高速响应液晶显示用TFT数组基板。

主权项

一种MVA模式用主动矩阵基板的制造方法，该基板构成主动矩阵显示装置，其特征为：使用下述3次光微影步骤来制造：1)形成栅极电极、像素电极、共享电极及像素电极内接触焊垫(第一次的使用半色调曝光法的光微影步骤)，2)形成薄膜半导体层组件分离、及接触孔(第二次的使用半色调曝光法的光微影步骤)，3)形成源极(Source)电极、漏极(Drain)电极及配向方向控制电极(使用一般的普通曝光法的光微影步骤)，干式蚀刻薄膜晶体管的通道部的奥姆接触层后，使用屏蔽沉积法局部成膜硅氮化膜钝化层(不在栅极电极端子部、源极电极端子部及共享电极端子部上成膜)。