| 发明名称 | 压电薄膜元件及其制造方法、以及压电薄膜设备 | ||
| 摘要 | 本发明为压电薄膜元件及其制造方法、以及压电薄膜设备。本发明的目的在于稳定提供能够代替PZT薄膜的具有压电特性的KNN压电薄膜元件。该压电薄膜元件的特征在于，具有在硅基板上配置有下部电极、由通式(K1-XNaX)NbO3(0＜x＜1)表示的碱金属铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜、上部电极的结构，在前述压电薄膜元件的X射线衍射2θ/θ图的KNN(002)衍射峰中，该衍射峰的高角度侧下沿区域的强度大于低角度侧下沿区域的强度。 | ||
| 申请公布号 | CN101950790A | 申请公布日期 | 2011.01.19 |
| 申请号 | CN201010224767.4 | 申请日期 | 2010.07.07 |
| 申请人 | 日立电线株式会社 | 发明人 | 柴田宪治;佐藤秀树;末永和史;野本明 |
| 分类号 | H01L41/08(2006.01)I;H01L41/00(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)I | 主分类号 | H01L41/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 一种压电薄膜元件，其特征在于，具有在硅基板上配置有下部电极、由通式(K1‑XNaX)NbO3(0＜x＜1)表示的碱金属铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜、上部电极的结构，在前述压电薄膜元件的X射线衍射2θ/θ图的KNN(002)衍射峰中，该衍射峰的高角度侧下沿区域的强度大于低角度侧下沿区域的强度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||