带厚栅极氧化层的多次可编程非易失性存储器件

摘要

根据一个实施例的一种多次可编程(MTP)存储单元，包括浮栅PMOS晶体管、高压NMOS晶体管、以及n阱电容器。浮栅PMOS晶体管包括形成该存储单元第一端子的源极，并包括漏极和栅极。该高压NMOS晶体管包括连接地的源极、连接于PMOS晶体管漏极的延长的漏极、以及形成该存储单元第二端子的栅极。该n阱电容器包括连接于PMOS晶体管栅极的第一端子、以及形成该存储单元第三端子的第二端子。该浮栅PMOS晶体管可存储一逻辑状态。可对存储单元的第一、第二和第三端子施加各种电压的组合以编程、禁止编程、读取和擦除该逻辑状态。

主权项

一种多次可编程(MTP)存储单元，包括：浮栅晶体管，包括形成所述存储单元的第一端子的源极、并包括漏极和栅极；高压晶体管，包括源极、连接于所述浮栅晶体管的漏极的延长的漏极、以及形成所述存储单元的第二端子的栅极；以及电容器，包括连接于所述浮栅晶体管的栅极的第一端子、以及形成所述存储单元的第三端子的第二端子；其中所述浮栅晶体管可存储一逻辑状态；以及其中可对所述存储单元的第一、第二和第三端子施加各种电压的组合以编程、禁止编程、读取和擦除由所述浮栅晶体管存储的逻辑状态。