内连线工艺

摘要

一种内连线工艺，首先提供具有导电区的基底。于基底上形成介电层。接着，于介电层上形成具有沟槽开口的图案化金属硬掩模层。于图案化金属硬掩模层上共形地形成介电硬掩模层，并填入沟槽开口中。定义光致抗蚀剂图案以移除沟槽开口中部分介电硬掩模层与部分介电层，以于介电层中形成第一开口。移除光致抗蚀剂图案。以图案化金属硬掩模层为掩模，进行第一蚀刻工艺，在图案化金属硬掩模层的沟槽开口的范围内，在介电层中形成沟槽与由第一开口向下延伸的第二开口。第二开口暴露出导电区。于沟槽与第二开口中形成导体层。

主权项

一种内连线工艺，包括：提供基底，该基底中具有导电区；于该基底上形成介电层，该介电层由低介电常数材料所构成；于该介电层上形成具有沟槽开口的图案化金属硬掩模层；于该图案化金属硬掩模层上共形地形成介电硬掩模层，并填入该沟槽开口中，该介电硬掩模层由氧化硅或二氧化硅所构成；于该介电硬掩模层上形成图案化光致抗蚀剂层；以该图案化光致抗蚀剂层为蚀刻掩模，同时移除该沟槽开口中部分该介电硬掩模层与部分该介电层，以于该介电层中形成第一开口；移除该图案化光致抗蚀剂层；以该图案化金属硬掩模层为掩模，进行第一蚀刻工艺，在该图案化金属硬掩模层的该沟槽开口的范围内，在该介电层中形成沟槽与由该第一开口向下延伸的第二开口，其中该第二开口暴露出该导电区；以及于该沟槽与该第二开口中形成导体层。