| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé d'amélioration de l'adhésion d'une couche en un matériau réticulable par insolation par des rayons UV sur un substrat ainsi qu'un procédé de fabrication d'un transistor comprenant au moins une étape de mise en oeuvre d'un tel procédé. Ce procédé d'amélioration de l'adhésion d'une couche en un matériau M sur la surface d'un substrat S est caractérisé en ce que : - le matériau M est un matériau réticulable par insolation par des rayons UV, et en ce qu'il comprend les étapes suivantes : a) le dépôt sur au moins une surface du substrat S d'une composition polymérisable P, non polymérisée, comprenant au moins une molécule F comprenant un premier groupe réactif F1 apte à réagir, par insolation par des rayons UV avec un groupe réactif M1 de la surface du matériau M, et un second groupe réactif F2 apte à former des liaisons avec le(s) matériau(x) constituant(s) la surface du substrat S, b) le dépôt, sur la couche de la composition P, non polymérisée obtenue à l'étape a) d'une couche en un matériau M, non réticulé, et c) l'insolation par des rayons UV de la structure à trois couches obtenue à l'étape b). L'invention trouve application dans le domaine de la fabrication de transistors, en particulier.</p> |
