发明名称 |
薄膜トランジスタ及びその製造方法、アレイ基板、並びにディスプレイ |
摘要 |
本発明は、薄膜トランジスタ及びその製造方法、アレイ基板並びにディスプレイを提供する。薄膜トランジスタは、基板、基板上に形成されたゲート電極、ソース電極、ドレイン電極及び半導体層と、ゲート電極と半導体層との間にあり、或いは、ゲート電極とソース電極及びドレイン電極との間にあるゲート絶縁層、及び半導体層とソース電極及びドレイン電極との間にあり、ソース接触穴及びドレイン接触穴を有するエッチング阻止層と、ソース電極と半導体層との間にあるソースバッファー層、及びドレイン電極と半導体層との間にあるドレインバッファー層と、を備え、ソース電極及びドレイン電極は金属銅電極であり、バッファー層は銅合金層である。ソースバッファー層及びドレインバッファー層を形成することによって、その上にあるソース電極及びドレイン電極層、及びその下方にある半導体層の付着力が向上され、TFTの性能も向上され、画像の品質も向上された。 |
申请公布号 |
JP2016519847(A) |
申请公布日期 |
2016.07.07 |
申请号 |
JP20160503517 |
申请日期 |
2013.07.02 |
申请人 |
京東方科技集團股▲ふん▼有限公司BOE TECHNOLOGY GROUP CO.,LTD. |
发明人 |
▲劉▼ 翔;王 ▲剛▼;薛 建▲設▼ |
分类号 |
H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/417 |
主分类号 |
H01L29/786 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|