发明名称 薄膜トランジスタ及びその製造方法、アレイ基板、並びにディスプレイ
摘要 本発明は、薄膜トランジスタ及びその製造方法、アレイ基板並びにディスプレイを提供する。薄膜トランジスタは、基板、基板上に形成されたゲート電極、ソース電極、ドレイン電極及び半導体層と、ゲート電極と半導体層との間にあり、或いは、ゲート電極とソース電極及びドレイン電極との間にあるゲート絶縁層、及び半導体層とソース電極及びドレイン電極との間にあり、ソース接触穴及びドレイン接触穴を有するエッチング阻止層と、ソース電極と半導体層との間にあるソースバッファー層、及びドレイン電極と半導体層との間にあるドレインバッファー層と、を備え、ソース電極及びドレイン電極は金属銅電極であり、バッファー層は銅合金層である。ソースバッファー層及びドレインバッファー層を形成することによって、その上にあるソース電極及びドレイン電極層、及びその下方にある半導体層の付着力が向上され、TFTの性能も向上され、画像の品質も向上された。
申请公布号 JP2016519847(A) 申请公布日期 2016.07.07
申请号 JP20160503517 申请日期 2013.07.02
申请人 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司BOE TECHNOLOGY GROUP CO.,LTD. 发明人 ▲劉▼ 翔;王 ▲剛▼;薛 建▲設▼
分类号 H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/417 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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