发明名称 Halbleitervorrichtung, Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät
摘要 Eine Halbleitervorrichtung enthält ein Substrat, ein elektronisches Bauelement und ein Harzglied. Das elektronische Bauelement ist auf dem Substrat vorgesehen und hat eine zweite Elektrode, die mit der ersten Elektrode elektrisch verbunden ist. Das Harzglied mildert eine äußere Belastung auf der zweiten Elektrode des elektronischen Bauelementes. Das Harzglied ist auf dem Substrat in einer Region angeordnet, die von dem elektronischen Bauelement getrennt ist.
申请公布号 DE102010024119(A1) 申请公布日期 2011.01.13
申请号 DE20101024119 申请日期 2010.06.17
申请人 FUJITSU LTD. 发明人 YAMAMOTO, KEIICHI;FUKUDA, TAKASHI
分类号 H01L23/12;H01L21/58;H01L21/60 主分类号 H01L23/12
代理机构 代理人
主权项
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