发明名称 |
Halbleitervorrichtung, Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät |
摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung enthält ein Substrat, ein elektronisches Bauelement und ein Harzglied. Das elektronische Bauelement ist auf dem Substrat vorgesehen und hat eine zweite Elektrode, die mit der ersten Elektrode elektrisch verbunden ist. Das Harzglied mildert eine äußere Belastung auf der zweiten Elektrode des elektronischen Bauelementes. Das Harzglied ist auf dem Substrat in einer Region angeordnet, die von dem elektronischen Bauelement getrennt ist. |
申请公布号 |
DE102010024119(A1) |
申请公布日期 |
2011.01.13 |
申请号 |
DE20101024119 |
申请日期 |
2010.06.17 |
申请人 |
FUJITSU LTD. |
发明人 |
YAMAMOTO, KEIICHI;FUKUDA, TAKASHI |
分类号 |
H01L23/12;H01L21/58;H01L21/60 |
主分类号 |
H01L23/12 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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