Verfahren zum Herstellen eines Verbindungshalbleiter-Feldeffekttransistors mit einer Fin-Struktur und Verbindungshalbleiter-Feldeffekttransistor mit einer Fin-Struktur,申请号DE200510059231-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zum Herstellen eines Verbindungshalbleiter-Feldeffekttransistors mit einer Fin-Struktur und Verbindungshalbleiter-Feldeffekttransistor mit einer Fin-Struktur
摘要
申请公布号	DE102005059231(B4)	申请公布日期	2011.01.13
申请号	DE200510059231	申请日期	2005.12.12
申请人	INFINEON TECHNOLOGIES AG	发明人	NAWAZ, MUHAMMAD
分类号	H01L21/337;H01L21/335;H01L29/808	主分类号	H01L21/337
代理机构		代理人
主权项
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