发明名称 OFFSET CORRECTION TECHNIQUES FOR POSITIONING SUBSTRATES WITHIN A PROCESSING CHAMBER
摘要 기판을 지지 메커니즘의 처리 중심에 정렬시키는 방법이 개시된다. 이 방법은, 기판의 기하학적 중심으로부터 복수의 배향 및 복수의 방사상 거리에서의 기판 처리 이후 기판 두께를 결정하는 단계를 포함한다. 이 방법은 또한, 기판 두께 및 처리 지속기간으로부터 처리 레이트값의 세트를 유도하는 단계를 포함한다. 이 방법은, 오프-센터링 플롯의 원주 상의 포인트들이 실질적으로 제 1 처리 레이트를 갖는 실질적인 동심원을 나타내는, 처리 레이트에 대한 오프-센터링 플롯을 생성하는 단계를 더 포함한다. 이 방법은 도한, 오프-센터링 플롯에 커브-피팅 수식을 적용하여 파라미터들의 세트를 결정하는 단계를 더 포함한다. 이 방법은 또한, 파라미터들의 세트를 로봇 암의 세트에 교시하여, 그 로봇 암의 세트가 지지 메커니즘에 의해 지지되는 또 다른 기판을 처리 중심과 정렬시키는 단계를 포함한다.
申请公布号 KR101640262(B1) 申请公布日期 2016.07.15
申请号 KR20107009017 申请日期 2008.09.29
申请人 램 리써치 코포레이션 发明人 천 잭;베일리 3세 앤드류 디;무링 벤;캐인 스티븐 제이
分类号 H01L21/3065;H01L21/677;H01L21/68;H01L21/683 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
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