| 摘要 |
電界集中を効果的に緩和することができる終端領域を備えた半導体装置を提供する。第一導電型の半導体層と、半導体層の表面の一部に形成され、かつ、第二導電型で第一の不純物濃度である第一の小領域と第二導電型で第一の不純物濃度よりも低い第二の不純物濃度である第二の小領域とがそれぞれ交互に設けられた第一の電界緩和領域と、第一の電界緩和領域の外周側に向かって第一の電界緩和領域を囲むように形成され、かつ、第二導電型で第一の不純物濃度以上の第三の不純物濃度である複数の第三の小領域と第二導電型で第二の不純物濃度よりも低い第四の不純物濃度である複数の第四の小領域とがそれぞれ交互に設けられた第二の電界緩和領域とを備えた半導体装置とする。 |
