| 发明名称 |
METAL-CONTAINING PRECURSORS FOR DEPOSITION OF METAL-CONTAINING FILMS |
| 摘要 |
<p>Disclosed are processes for the use of bis-ketoiminate metal precursors for the deposition of metal-containing films via conventional CVD, low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), plasma enhanced chemical vapor depositions (PECVD), atomic layer deposition (ALD), pulsed chemical vapor deposition (P-CVD), plasma enhanced atomic layer deposition (PE-ALD), or combinations thereof.</p> |
| 申请公布号 |
WO2011006064(A1) |
申请公布日期 |
2011.01.13 |
| 申请号 |
WO2010US41518 |
申请日期 |
2010.07.09 |
| 申请人 |
L'AIR LIQUIDE SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE;DUSSARRAT, CHRISTIAN;LANSALOT-MATRAS, CLEMENT;OMARJEE, VINCENT M. |
发明人 |
DUSSARRAT, CHRISTIAN;LANSALOT-MATRAS, CLEMENT;OMARJEE, VINCENT M. |
| 分类号 |
C23C16/18;C07C225/02;C23C16/455 |
主分类号 |
C23C16/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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