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发明名称
FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
<p>A self repairing field effect transistor (FET) device, in accordance with one embodiment, includes a plurality of FET cells each having a fuse link. The fuse links are adapted to blow during a high current event in a corresponding cell.</p>
申请公布号
KR20110004356(A)
申请公布日期
2011.01.13
申请号
KR20107016531
申请日期
2009.02.13
申请人
VISHAY-SILICONIX
发明人
XU ROBERT
分类号
H01L29/78;H01L21/336
主分类号
H01L29/78
代理机构
代理人
主权项
地址
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