薄膜晶体管、其制造方法及有机发光二极管显示装置

摘要

薄膜晶体管、其制造方法及有机发光二极管显示装置。该薄膜晶体管包括：基板；布置在所述基板上的半导体层，包括沟道区、源极区、漏极区和基体接触区；布置在所述半导体层上从而使所述第一基体接触区暴露的栅极绝缘层；布置在所述栅极绝缘层上从而接触所述第一基体接触区的栅电极；布置在所述栅电极上的层间绝缘层；以及布置在所述层间绝缘层上并且被电连接至所述源极区和所述漏极区的源电极和漏电极。所述基体接触区被形成在所述半导体层的边缘中。

主权项

一种制造薄膜晶体管的方法，该方法包括：通过利用结晶诱导金属将非晶硅层结晶成多晶硅层来在基板上形成半导体层；在所述半导体层上形成栅极绝缘层，从而使所述半导体层的边缘暴露；利用所述栅极绝缘层作为掩模，将N型杂质注入所述半导体层的暴露的边缘；将所述基板退火，以将保留在所述半导体层中的所述晶体诱导金属吸除到所述半导体层的暴露的边缘中；在所述栅极绝缘层上形成与所述半导体层的暴露的边缘接触的栅电极；在所述栅电极上形成层间绝缘层；以及在所述层间绝缘层上形成分别被电连接至所述半导体层的源极区和漏极区的源电极和漏电极。