| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，其具备：具有碳化硅层(2)的碳化硅半导体衬底(1)、设置于碳化硅层(2)的高浓度杂质区域(4)、与高浓度杂质区域(4)电连接的欧姆电极(9)、与高浓度杂质区域电连接的沟道区域、设置于沟道区域上的栅极绝缘层(14)、设置于栅极绝缘层(14)上的栅电极(7)，欧姆电极(9)包含钛、硅及碳的合金，栅电极(7)包含钛硅化物。 | ||
| 申请公布号 | CN101542740B | 申请公布日期 | 2011.01.12 |
| 申请号 | CN200880000617.6 | 申请日期 | 2008.02.12 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 林将志;桥本伸 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具备：碳化硅半导体衬底，其具有碳化硅层；高浓度杂质区域，其设置于所述碳化硅层；欧姆电极，其与所述高浓度杂质区域电连接；沟道区域，其与所述高浓度杂质区域电连接；栅极绝缘层，其设置于所述沟道区域上；栅电极，其设置于所述栅极绝缘层上，所述欧姆电极包含钛、硅及碳的合金，所述栅电极包含钛硅化物。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||