发明名称 |
三维微力硅微传感器 |
摘要 |
三维微力硅微传感器,包括一玻璃基底1,玻璃基底1上配置有相互垂直的四个单端固支硅悬臂梁4,悬臂梁4支撑着中间的质量悬块5,质量悬块5上配置有微力学探针3,四个悬臂梁4上还各配置有组压阻条2,四个压阻条2配置成惠斯通电桥。该传感器集应力敏感与力电转换检测于一体,具有灵敏度高、动态响应好、精度高、易于微型化和集成化的特点。 |
申请公布号 |
CN101308051B |
申请公布日期 |
2011.01.12 |
申请号 |
CN200810150217.5 |
申请日期 |
2008.07.01 |
申请人 |
西安交通大学 |
发明人 |
赵玉龙;林启敬;蒋庄德;王鑫垚;杨川;赵立波 |
分类号 |
G01L1/18(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01L1/18(2006.01)I |
代理机构 |
西安智大知识产权代理事务所 61215 |
代理人 |
刘国智 |
主权项 |
三维微力硅微传感器,包括一玻璃基底(1),其特征是,所说的玻璃基底(1)上配置一硅侧壁(6),硅侧壁(6)的中间配置有相互垂直的四个单端固支硅悬臂梁(4),悬臂梁(4)支撑着中间的质量悬块(5),质量悬块(5)的厚度小于硅侧壁(6)的厚度,质量悬块(5)上配置有微力学探针(3),探针(3)采用阶梯结构形式,四个悬臂梁(4)上还各配置有一组压阻条(2),四组压阻条(2)配置成惠斯通电桥。 |
地址 |
710032 陕西省西安市咸宁路28号 |