发明名称 | 磁致伸缩式转矩传感器的制造方法 | ||
摘要 | 一种磁致伸缩式转矩传感器的制造方法,其具有:在磁致伸缩式转矩传感器(10)的旋转轴(11)上形成磁致伸缩膜(14A、14B)的形成磁致伸缩膜工序(P1)和向在该形成磁致伸缩膜工序(P1)中形成的所述磁致伸缩膜(14A、14B)附加磁各向异性的附加磁各向异性工序(P2),且具有把旋转轴(11)进行退磁的退磁工序(P32)。退磁工序(P32)被设置在形成磁致伸缩膜工序(P1)后的任一阶段,是把旋转轴(11)上产生的剩磁(MS、MK)进行初始化的工序。 | ||
申请公布号 | CN1940516B | 申请公布日期 | 2011.01.12 |
申请号 | CN200610154312.3 | 申请日期 | 2006.09.20 |
申请人 | 本田技研工业株式会社 | 发明人 | 樫村之哉;土肥瑞穗;原田仁;福田佑一;吉本信彦 |
分类号 | G01L3/10(2006.01)I | 主分类号 | G01L3/10(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 马高平 |
主权项 | 一种磁致伸缩式转矩传感器的制造方法,其特征在于,包括:在旋转轴(11)上通过电解镀敷形成磁致伸缩膜(14A、14B)的工序(P1);对形成在所述旋转轴上的所述磁致伸缩膜(14A、14B)在施加了规定的转矩的状态下供给规定时间的高频来进行加热处理,通过释放转矩附加磁各向异性的工序(P2);在所述形成磁致伸缩膜工序(P1)之后或者在所述旋转轴(11)的前处理工序中设置的对所述旋转轴(11)进行退磁的工序(P32)。 | ||
地址 | 日本东京都 |