| 发明名称 | 具有低成本衬底的集成无源装置和方法 | ||
| 摘要 | 根据本发明的一个方面，提供一种形成如集成无源装置(72)的微电子组件的方法。在硅衬底(20)上形成包括例如氮化铝或氮化硅或氧化硅或其组合的电荷捕获膜的绝缘初始电介质层(32)。在该初始电介质层(32)上形成至少一个无源电子部件(62)。在与硅衬底(20)接触的该初始电介质层(32)中使用氮化硅或氧化硅的实施例中，理想地，在沉积该初始电介质层之前通过将硅表面(22)暴露于引起表面损伤的处理(例如，氩等离子体)来预处理硅表面(22)，以帮助在大约零偏压下在硅表面附近提供载流子耗尽。使用这种硅衬底的集成无源装置中的RF损耗等于或低于利用GaAs获得的RF损耗。 | ||
| 申请公布号 | CN101946320A | 申请公布日期 | 2011.01.12 |
| 申请号 | CN200980106159.9 | 申请日期 | 2009.02.05 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | T·K.·戴利;K·L.·科斯特洛;J·G.·科特纳基斯;J·R.·芬德;J·S.·休伊斯;A·迈特;A·C.·雷耶斯 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 陈华成 |
| 主权项 | 一种形成集成无源装置(IPD)的方法，包括：在硅衬底上形成包括氮化铝的绝缘初始电介质层；以及在所述绝缘初始电介质层上形成至少一个无源电子部件。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||