发明名称 |
一种独立栅控制的纳米线场效应晶体管 |
摘要 |
本发明公开一种独立栅控制的纳米线场效应晶体管。该晶体管是由内栅电极、外栅电极,内外栅介质层,沟道区和源区、漏区组成;其中,内栅电极位于整个器件结构的中心;由内向外内栅介质,沟道区,外栅介质和外栅电极同轴的全包围内层区域。内栅电极的引入可以使该纳米线器件工作于独立栅控的条件下,为低功耗电路设计提供一种选择方案,而且阈值电压受控制电极的调节灵敏度更大。当该器件工作于共栅条件下时,器件的电学性能优于常规纳米环栅器件和双栅器件。用10纳米的硅膜厚度,该独立栅控纳米线晶体管器件可以将栅长缩小到20纳米。 |
申请公布号 |
CN101944539A |
申请公布日期 |
2011.01.12 |
申请号 |
CN200910089213.5 |
申请日期 |
2009.07.09 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
张立宁;何进;张健 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 |
代理人 |
关畅;任凤华 |
主权项 |
一种独立栅控制的纳米线场效应晶体管,是由外栅电极、内栅电极、源区、漏区、沟道区和内外栅介质层组成;其中,所述内栅电极位于所述纳米线场效应晶体管的中心;所述沟道区通过内栅介质层隔离,并同轴全包围所述内栅电极;所述外栅电极与所述沟道区通过外栅介质隔离,并同轴全包围所述沟道区;所述源区和漏区分别位于所述沟道区的两侧,并同轴全包围所述内栅介质区。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号 |