| 发明名称 | 刻蚀停止层、具有通孔的半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种刻蚀停止层，包括在衬底上形成的含氮的碳化硅层，以及位于所述碳化硅层之上的氮化硅层。本发明还公开了该刻蚀停止层的相应的形成方法，以及采用了该刻蚀停止层的具有通孔的半导体器件及其形成方法，采用本发明的刻蚀停止层后，可以在低K值的情况下，扩大刻蚀工艺的工艺窗口。 | ||
| 申请公布号 | CN101572252B | 申请公布日期 | 2011.01.12 |
| 申请号 | CN200810105311.9 | 申请日期 | 2008.04.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 尹晓明;孙武;周鸣 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 董立闽;李丽 |
| 主权项 | 1.一种刻蚀停止层，包括在衬底上形成的含氮的碳化硅层，其特征在于：所述刻蚀停止层还包括形成于所述碳化硅层之上的氮化硅层；所述碳化硅层的厚度在100至<img file="FSB00000284847700011.GIF" wi="131" he="52" />之间，所述氮化硅的厚度在50至<img file="FSB00000284847700012.GIF" wi="130" he="51" />之间。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||