具有直接源-漏电流路径的横向沟槽栅极场效应晶体管

摘要

场效应晶体管包括延伸到半导体区中的沟槽栅极。该沟槽栅极具有朝向漏区的前壁和与前壁垂直的侧壁。沟道区沿沟槽栅极的侧壁延伸，并且漂移区至少在漏区和沟槽栅极之间延伸。漂移区包括一堆叠的交替导电类型硅层。

主权项

一种场效应晶体管(FET)，包括：沟槽栅极，延伸到半导体区中，所述沟槽栅极具有朝向第一导电类型的漏区的前壁和与所述前壁垂直的侧壁；第二导电类型的体区，与所述沟槽栅极的所述侧壁邻接；第一导电类型的源区，与所述沟槽栅极的所述侧壁邻接，并且在所述体区中延伸，以沿着所述沟槽栅极的所述侧壁在所述体区中形成沟道区，所述源区在所述体区的中间部分中延伸，使得当所述FET处于导通状态时，流经所述沟道区的电流的部分在相反的方向上流动；以及漂移区，至少在所述漏区和所述沟槽栅极之间延伸，所述漂移区包括交替导电类型硅层的堆叠。