发明名称 亚微米厚度有机半导体薄膜三极管
摘要 亚微米厚度有机半导体薄膜三极管,涉及一种有机半导体材料为主体制作的亚微米厚度有机半导体薄膜三极管。目前欧美等发达国家研究的有机薄膜三极管主要是采用OTFT结构。本发明的亚微米厚度有机半导体薄膜三极管,其组成包括:玻璃基板(1),玻璃基板上具有金(2)、酞菁铜(3)、铝(4)、酞菁铜(5)、金(6)的层状结构复合层,铝膜的厚度为20±10nm,酞菁铜的厚度上层为70±5nm,下层为130±5nm。本产品用作有机的甚至是软体衬底的显示器,随着高性能新型有机半导体材料的开发,本产品可用作高速、高电流密度特性的三极管,可以用于有机显示器、液晶面板的驱动单元,电子标签,有机集成电路芯片等更广泛的领域。
申请公布号 CN1897321B 申请公布日期 2011.01.12
申请号 CN200610067520.X 申请日期 2006.02.27
申请人 哈尔滨理工大学 发明人 赵洪;王东兴;殷景华;王喧;桂太龙;宋明歆
分类号 H01L51/05(2006.01)I 主分类号 H01L51/05(2006.01)I
代理机构 哈尔滨东方专利事务所 23118 代理人 陈晓光
主权项 一种亚微米厚度有机半导体薄膜三极管,其组成包括:玻璃基板,其特征是:所述的玻璃基板上具有金、酞菁铜、铝、酞菁铜、金的层状结构复合层,所述的铝的厚度为20±10nm,酞菁铜的厚度上层为70±5nm,下层为130±5nm。
地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号理工大学应科院电科系