发明名称 非易失性存储装置及其写入方法
摘要 提供一种非易失性存储装置(100),可以实现稳定的动作,具备电阻变化元件。非易失性存储装置(100)具备:存储单元(M111、M112、…),对应于多条字线(WL0、WL1、…)与多条位线(BL0、BL1、…)之间的立体交叉点来设置,根据电信号使电阻值可逆地变化;行选择电路·驱动器(103),具备对字线(WL0、WL1、…)施加指定电压的晶体管(103a);列选择电路·驱动器(104),具备对位线(BL0、BL1、…)施加指定的电压的晶体管(104a);基板偏压电路(110),对这些晶体管(103a、104a)的基板按正向施加偏压电压。
申请公布号 CN101946285A 申请公布日期 2011.01.12
申请号 CN200980105354.X 申请日期 2009.12.16
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 高木刚;村冈俊作;东亮太郎;青野邦年
分类号 G11C13/00(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L49/00(2006.01)I 主分类号 G11C13/00(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 杨谦;胡建新
主权项 一种非易失性存储装置,其特征为,具备:基板;多条第1布线,相互平行地形成于上述基板上;多条第2布线,形成于上述多条第1布线的上方,以使在与上述基板的主面平行的面内相互平行且与上述多条第1布线立体交叉;存储单元阵列,具备多个电阻变化元件,该多个电阻变化元件对应于上述多条第1布线及上述多条第2布线的立体交叉点来设置,介于上述第1布线和上述第2布线之间,根据对上述第1布线及上述第2布线间施加的电压的极性,电阻状态在低电阻状态和高电阻状态之间可逆地进行变化;选择电路,具备第1驱动电路和第2驱动电路,通过上述第1驱动电路及上述第2驱动电路从上述存储单元阵列中选择至少一个电阻变化元件,该第1驱动电路具备对上述多条第1布线施加指定电压的晶体管,该第2驱动电路具备对上述多条第2布线施加指定电压的晶体管;基板偏压电路,对形成有上述第1驱动电路及上述第2驱动电路所具备的上述晶体管的上述基板施加偏压电压;以及写入电路,对由上述选择电路选择出的电阻变化元件供给写入用的电信号;上述第1驱动电路及上述第2驱动电路具备的晶体管形成于上述基板内的第1导电型区域内,并具备与上述第1导电型极性相反的第2导电型的第1扩散区域、栅极以及上述第2导电型的第2扩散区域;上述基板偏压电路在对由上述选择电路选择出的上述电阻变化元件通过上述写入电路供给写入用的电信号时,针对上述第1驱动电路及上述第2驱动电路具备的晶体管之中的至少一方,对形成有该晶体管的上述基板内的第1导电型区域施加偏压电压,以便对于上述第1扩散区域及上述第2扩散区域成为正向。
地址 日本大阪府