发明名称 | CMOS输入缓冲电路 | ||
摘要 | 本发明提供低电压动作且低消耗电流的CMOS输入缓冲电路。构成为包括:耗尽型NMOS晶体管,其漏极与电源端子VDD连接,栅极与输出端子连接;PMOS晶体管,其源极与耗尽型NMOS晶体管的源极连接,漏极与输出端子连接,栅极与输入端子连接;以及NMOS晶体管,其源极与基准端子GND连接,栅极与输入端子连接,漏极与输出端子连接。 | ||
申请公布号 | CN101944903A | 申请公布日期 | 2011.01.12 |
申请号 | CN201010227574.4 | 申请日期 | 2010.07.05 |
申请人 | 精工电子有限公司 | 发明人 | 宇都宫文靖 |
分类号 | H03K19/0185(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/0185(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 何欣亭;徐予红 |
主权项 | 一种CMOS输入缓冲电路,将对输入端子输入的小于CMOS电平的信号变换为CMOS电平的信号后在输出端子输出,其特征在于包括:被供给CMOS电平的电压的电源端子VDD及基准端子GND;第一耗尽型NMOS晶体管,其漏极与所述电源端子VDD连接,栅极与所述输出端子连接;第一PMOS晶体管,其源极与所述第一耗尽型NMOS晶体管的源极连接,漏极与所述输出端子连接,栅极与所述输入端子连接;以及NMOS晶体管,其源极与所述基准端子GND连接,栅极与所述输入端子连接,漏极与所述输出端子连接。 | ||
地址 | 日本千叶县千叶市 |