发明名称 TFT阵列检测装置
摘要 一种TFT阵列检测装置,以缩短TFT阵列基板的各种缺陷检测所需的时间。此TFT阵列检测装置通过优化能量过滤器的电压条件来提高检测信号的检测效率。该检测装置将驱动信号供给到TFT阵列基板而驱动此TFT阵列基板,并对向以此受到驱动的TFT阵列基板的像素照射电子束而获得的二次电子进行能量筛选而进行检测,根据所获得的二次电子信号强度来检测TFT阵列基板的缺陷,此TFT阵列检测装置包括:能量过滤器,进行能量筛选;及二次电子检测器,对通过能量过滤器后的二次电子进行检测。能量过滤器的电位与驱动信号的信号波形同步切换。通过使能量过滤器的电位与驱动信号的信号波形同步,可根据驱动图案而将二次电子检测的检测条件设定为最佳,而提高检测效率。
申请公布号 CN101359613B 申请公布日期 2011.01.12
申请号 CN200810111266.8 申请日期 2008.06.05
申请人 株式会社岛津制作所 发明人 吉冈尚规
分类号 H01L21/66(2006.01)I;G01R31/02(2006.01)I;H01J37/244(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人 寿宁;张华辉
主权项 一种TFT阵列检测装置,对TFT阵列基板供给驱动信号而驱动上述TFT阵列基板,且对向上述TFT阵列基板照射电子束而获得的二次电子进行能量筛选并加以检测,从而根据上述检测所获得的二次电子信号强度来检测TFT阵列基板的缺陷,其特征在于其包括:能量过滤器,用来进行上述能量筛选;以及二次电子检测器,对通过上述能量过滤器后的二次电子进行检测,且使上述能量过滤器的电位与上述驱动信号的信号波形同步切换。
地址 日本京都府京都市中京区西之京桑原町1番地