形成抗蚀剂下层膜的组合物和使用该组合物的抗蚀剂图形的形成方法

摘要

本发明的课题在于提供一种干蚀刻速度的选择比大、且ArF准分子激光那样的短波长下的k值和n值显示所期望的值的抗蚀剂下层膜形成用的组合物。本发明通过提供下述组合物而解决了上述课题，即，一种抗蚀剂下层膜形成用的组合物，其含有下述聚合物和溶剂，所述聚合物是至少使用具有脂环式结构或脂肪族结构的四羧酸二酐和具有两个环氧基的二环氧化合物，与包括具有OH基的醇系化合物(其中具有2个以上的OH基的二醇等除外)的有机溶剂一起反应而获得的。

主权项

1.一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，含有具有下式(1)所示的重复结构的聚合物、和溶剂，式中，A₁、A₂、A₃、A₄、A₅和A₆分别独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q表示二价的有机基团，R₁表示碳原子数4～20的脂环式结构或脂肪族结构，R₂表示碳原子数1～13的烷基、碳原子数3～13的环烷基、或被选自碳原子数1～13的烷氧基、碳原子数2～13的烷基羰基氧基、碳原子数2～13的烷氧基羰基、碳原子数1～13的烷基硫基、硝基、碳原子数1～13的烷基磺酰氧基和碳原子数1～13的烷氧基磺酰基中的至少一种基团取代的碳原子数1～13的烷基，m表示重复单元的个数，为5～300。