聚合物复合材料嵌入式微电容及其制备方法

摘要

本发明涉及聚合物复合材料嵌入式微电容及其制备方法，属于微电子新材料与器件技术领域。该微电容包括依次层叠的上电极，介电薄膜和下电极，该介电薄膜采用聚酰亚胺/钛酸钡(PI/BT)复合材料。该方法包括：使用原位聚合法将BT纳米颗粒分散入PI中制备介电薄膜PI/BT复合材料；采用流延法将PI/BT复合材料黏附在基底铜板上，在得到的介电薄膜上铺一层光刻胶，并根据版图进行紫外线曝光，得到图形化的光刻胶；介电薄膜和光刻胶上溅射一层金属层；在丙酮溶液中浸泡形成了图形化好的上层电极；在氧气和三氟甲烷的混合气体中进行RIE处理后，超声清洗，即制得微电容。本发明可获得面积较大的、均匀致密的介电薄膜，并且可以使微电容在较高温度和低温下稳定工作。

主权项

一种聚合物复合材料嵌入式微电容，包括依次层叠的上电极，介电薄膜和下电极，其特征在于，该介电薄膜采用聚酰亚胺/钛酸钡(PI/BT)复合材料，厚度为10‑100um。