发明名称 二极管芯片
摘要 二极管芯片。涉及一种半导体分立器件。能克服检测中放电,使用中“爬电”现象。芯片边沿设有一圈玻璃质保护层,芯片的水平投影为无折角的封闭形状;芯片的纵向截面呈凸字形,侧边上部为凹弧形,下部为直边;侧边的凹弧形段上设有一圈半绝缘多晶硅膜;玻璃质保护层覆盖半绝缘多晶硅膜上部的70-95%。本实用新型可有效的防止方形芯片尖角造成的尖端放电,提高耐压能力,避免失效或故障。SIPOS膜作用为吸收芯片表面可动离子(杂质),增强器件稳定性、提高二极管耐压能力。沟槽底部仍会保留SIPOS膜和SIO2膜,防止在蒸金时会有金层附着在上面。
申请公布号 CN201708159U 申请公布日期 2011.01.12
申请号 CN201020185410.5 申请日期 2010.05.11
申请人 扬州杰利半导体有限公司 发明人 汪良恩;裘立强;魏兴政
分类号 H01L29/861(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I 主分类号 H01L29/861(2006.01)I
代理机构 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 代理人 奚衡宝
主权项 二极管芯片,所述芯片边沿设有一圈玻璃质保护层,其特征在于,所述芯片的水平投影为无折角的封闭形状;所述芯片的纵向截面呈凸字形,侧边上部为凹弧形,下部为直边;所述侧边的凹弧形段上设有一圈半绝缘多晶硅膜;所述玻璃质保护层覆盖所述半绝缘多晶硅膜上部的70 95%。
地址 225008 江苏省扬州市平山堂北路江阳创业园三期